不同闪烁体选择对CMOS传感器X射线成像性能的影响

引用

Alikunju, R. P.、Kearney, S.、Moss, R.、Khan, A.、Stamatis, I.、Bullard, E.、Anaxagoras, T.、Brodrick, J. 和 Olivo, A. (2023)。不同闪烁体选择对 CMOS 传感器 X 射线成像性能的影响。核仪器与物理研究方法，A部分：加速器、光谱仪、探测器及相关设备，1050，168136。

关键词

  • CMOS，X射线探测器
  • 光纤板 (FOP)
  • 闪烁体，像素间距
  • 闪烁体厚度
  • X射线成像性能
  • 探测量子效率 (DQE)
  • 调制传递函数 (MTF)
  • 噪声功率谱 (NPS）

简介

本文通过改变光纤面板使用情况、闪烁体基板涂层、传感器像素间距和闪烁体厚度等参数，比较了不同配置的CMOS X射线探测器的X射线性能。

摘要

本文于2023年发表在《物理学研究中的核仪器与方法》（A）杂志上，作者包括Rimcy Palakkappilly Alikunju、Stephen Kearney、Robert Moss、Asmar Khan、Iannis Stamatis、Edward Bullard、Thalis Anaxagoras、James Brodrick和Alessandro Olivo。作者比较了不同CMOS X射线探测器配置的X射线成像性能。研究发现，带有光纤板（FOP）的探测器比不带FOP的探测器具有更好的探测量子效率（DQE）。此外，采用白色涂层铝基板闪烁体的探测器比采用黑色涂层铝基板闪烁体的探测器具有更高的DQE。像素间距为100 μm的探测器比像素间距为50 μm的探测器具有更高的DQE。最后，当比较不同厚度的闪烁体时，最厚的闪烁体（800 μm）具有最高的DQE。

来源：https://discovery.ucl.ac.uk/id/eprint/10164808/1/1-s2.0-S0168900223001262-main.pdf

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