什么是EUV激光？

极紫外 (EUV) 激光

极紫外 (EUV) 激光技术代表了半导体芯片制造光刻技术的重大进步。该技术工作在极紫外光谱的波长范围内，约为 13.5 纳米，能够创建比传统深紫外 (DUV) 光刻方法更小的微米级和纳米级特征。

工作原理

EUV 激光利用等离子体产生光。当使用强大的激光脉冲对锡滴等材料进行过热处理时，它们会发出 EUV 光谱中的辐射。然后，这些辐射聚焦到覆盖有感光材料（光刻胶）的硅晶片上，从而创建极其精细的图案。

EUV 光刻技术的优势

• 更高的分辨率：可以显著缩小特征尺寸，从而提高电路密度，并可能生产出更强大、更高效的芯片。
• 更高的效率：减少了图案化复杂多层电路所需的步骤，从而简化了制造流程。
• 未来可扩展性：为遵循摩尔定律持续微型化提供途径。

EUV 光刻技术的挑战

• 精密设备：需要先进且昂贵的机器，包括专用光源和反射镜。
• 技术障碍：掩模版和光刻胶必须专门针对 EUV 波长进行设计，这增加了复杂性。
• 供需：对 EUV 光刻系统的高需求及其生产的复杂性可能导致供应受限。

总而言之，EUV 激光技术标志着纳米光刻技术的重大飞跃，有望大幅提升电子设备的功率和效率。尽管面临挑战，但它代表着芯片制造技术的前沿，目前正在进行的研究旨在克服其当前的局限性。