EUV 波长是多少？

极紫外 (EUV) 波长

极紫外 (EUV) 光刻技术利用极短波长的光在芯片上创建微米级和纳米级特征。EUV 波长通常定义为 10 至 13.5 纳米 (nm)，显著短于传统光刻方法中使用的波长（后者通常位于 193 nm 的深紫外范围内）。

EUV 光刻技术代表了半导体制造领域的一项重大技术进步，能够生产特征尺寸远低于其所用光波长的元件。这项技术对于延续摩尔定律所描述的微芯片性能和密度不断提升的趋势至关重要。

EUV 波长的优势

可显著缩小特征尺寸并实现更密集的芯片布局。
通过减小元件尺寸，提高芯片的效率和速度。
通过进一步实现芯片元件的微型化，促进摩尔定律的延续。

技术挑战

EUV 光刻技术的实施面临着诸多技术挑战，包括：

• 开发可靠的 EUV 辐射源；
• 制造对 EUV 波长敏感的掩模版和光刻胶材料；
• 克服透镜材料和光学元件在极端波长下有效工作的问题。

尽管面临这些挑战，EUV 光刻技术在半导体制造领域仍日益普及，这得益于其显著提升芯片性能和容量的潜力。