Demonstration of Embedded Cu Trench RDL using Panel Scale Lithography and Photosensitive Dry Film Polymer Dielectrics

使用面板级光刻技术和感光干膜聚合物电介质演示嵌入式铜沟槽RDL

引用

Sundaram, V., Liu, F., Nair, C., Tummala, R., Kubo, A., Ando, T., Best, K., & Shay, C. (2017)。使用面板级光刻技术和感光干膜聚合物电介质演示嵌入式铜沟槽RDL。国际微电子学研讨会。

关键词

  • RDL（重分布层）
  • 2.5D中介层
  • 玻璃中介层
  • 嵌入式沟槽重分布（RD）
  • 感光干膜介质
  • 面板级光刻技术
  • 高密度I/O

简介

本文介绍了一种在玻璃中介层上构建高密度、低电阻互连的新方法，该方法使用新型感光干膜介质材料和面板级光刻设备。

摘要

本文发表于2017年国际微电子研讨会，由Venky Sundaram等人撰写，重点介绍了一种在电子封装中构建高密度、高效且经济高效的互连的新方法，尤其适用于2.5D中介层。以下是本文的要点：

  • 对更高带宽的需求：人工智能和自动驾驶等应用对计算能力的不断增长的需求，要求电子系统中逻辑电路和存储器之间建立更高带宽的连接。虽然传统方法依赖于不断缩小的晶体管尺寸，但像2.5D中介层这样的封装技术对于进一步提升性能至关重要。
  • 现有解决方案的局限性：传统的硅基中介层由于成本高昂以及硅的电学特性而面临诸多限制。有机中介层虽然价格低廉，但在尺寸稳定性和可靠性方面却存在问题。
  • 玻璃中介层作为解决方案：本文介绍了玻璃作为一种有前景的中介层材料替代品。玻璃具有与硅类似的电学性能，同时成本更低，可扩展性更强。
  • 新型制造工艺：研究人员展示了一种在玻璃基板上创建高密度互连的新方法。该方法涉及使用一种新型感光干膜聚合物电介质和一种大面积面板级光刻工具。这使得能够在电介质中嵌入非常细的铜线（细至2μm），从而实现比传统方法更高的密度。
  • 关键材料和工具：本文介绍了新型电介质材料（TOK IF系列）的特性和优势。本文还重点介绍了鲁道夫科技公司 JetStep® G45 HR 光刻系统的功能，尤其是其高分辨率和大焦深，这对该应用至关重要。
  • 成功演示：本文报道了在玻璃基板上成功制造 2μm 宽嵌入式铜线，展示了该方法在未来电子封装中实现高密度互连的潜力。

本质上，本文展示了 2.5D 中介层技术的重大进展，该技术结合了新颖的制造工艺和有前景的材料，可在玻璃基板上实现细间距、高密度互连。这有可能满足未来高性能计算系统日益增长的带宽需求。

来源：https://meridian.allenpress.com/ism/article/2017/1/000689/35592/Demonstration-of-Embedded-Cu-Trench-RDL-using

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