Through-Glass-Via Enabling Low Loss High-Linearity RF Components

玻璃通孔实现低损耗、高线性度射频元件

引用

Liljeholm, J., Shah, U., Campion, J., Ebefors, T., Oberhammer, J. (2016) 通过玻璃通孔实现低损耗高线性度射频元件。引文：注意：引用本文时，请注明原文。
该来源还提供了以下摘录的永久链接：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-199961

关键词

  • MEMS 制造
  • 晶圆级封装 (WLP)
  • 玻璃通孔 (TGV)
  • 射频 TGV
  • 低损耗
  • 高线性度
  • 玻璃基板
  • 直流电阻
  • 非线性

简介

本文介绍了用于晶圆级 3D 封装的低损耗、高线性度金属玻璃通孔 (TGV) 的成功制造和测试。

摘要

本文介绍了一种利用玻璃通孔 (TGV) 技术制造低损耗、高线性度射频元件的新型晶圆级 3D 封装方法。该工艺在 Eagle 玻璃基板上进行，该基板因不含重金属而具有优异的电绝缘性能。该制造工艺包括将TGV蚀刻到玻璃基板上，然后沉积用于重分布层（RDL）的共形金层，并进行TGV电镀。随后，将玻璃盖晶圆键合到基板上，并进行减薄和显露工艺，以便从正面接触TGV。

以下是该研究的主要成果：

  • 成功制造：该研究展示了一种用于全功能TGV晶圆级3D封装的成功制造工艺。
  • 低电阻：直流测量显示每个TGV的通孔电阻为28毫欧姆，包括RDL和键合界面。
  • 高线性度：射频特性显示出优异的线性度，1.1毫米传输线上的两组TGV实现了优于78 dBm的非线性度（IP3）。这表明TGV对信号失真的影响极小，并保持了信号完整性。

来源：http://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:1067132/FULLTEXT01.pdf

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