箔上系统集成中钼衬底与硅衬底及玻璃衬底热性能比较分析

引用

Huang, T.-J.；Kiebala, T.；Suflita, P.；Moore, C.；Housser, G.；McMahon, S.；Puchades, I. 箔上系统集成中钼衬底与硅衬底及玻璃衬底热性能比较分析。 Electronics 2024, 13, 1818. https://doi.org/10.3390/electronics13101818

关键词

• 玻璃
• 热容量
• 钼
• 印刷电路板
• 硅
• 箔上系统
• 热导率

简介

本文介绍了如何在钼、硅和玻璃基板上制备原位电阻，并表征其在先进电子封装应用中的热性能。

摘要

本文于2024年发表在《电子学》杂志上，比较了钼、硅和熔融石英玻璃作为箔上系统 (SoF) 基板的热性能。作者发现，钼的散热性能与硅相似，且比熔融石英玻璃更有效。

以下是本文的更详细摘要：

• 作者在厚度为 250 µm 的钼、硅和熔融石英玻璃晶片上制作了加热和传感电阻。
• 他们向加热电阻施加了不同的功率，并测量了基板的温度变化。
• 结果表明，当持续施加 1.2–3.1 W/mm² 的热量时，钼和硅基板的温度仅升高 10–20 °C，而熔融石英玻璃基板的表面温度在相同条件下升高超过 140 °C。
• 这些发现表明，钼和硅一样，是电子设备中有效的散热材料。
• 研究还发现，熔融石英玻璃的横向隔热性能优于硅或钼。这意味着热量在硅和钼基板内部比在熔融石英玻璃基板内部更容易扩散。
• 作者得出结论，由于钼具有良好的热性能，因此是一种可用作硅基薄膜 (SoF) 衬底的材料。他们认为，将钼和氧化硅等高导热系数和低导热系数的材料组合在一起，可能对未来的 3D 封装架构很有价值。

来源：https://www.semanticscholar.org/reader/0a323b889b0334e3605c61f30b9ee0ae84809bc2