通过玻璃通孔实现低损耗、高线性度射频中介层

引用

Shah, U., Liljeholm, J., Campion, J., Ebefors, T., & Oberhammer, J. (2018). 通过玻璃通孔实现低损耗高线性度射频中介层。IEEE微波和无线组件快报，28(11)，960–962。https://doi.org/10.1109/LMWC.2018.2869285

关键词

• 玻璃通孔 (TGV)
• 微加工
• 异质集成
• 低损耗
• 高线性度

简介

本篇报道了一种用于三维晶圆级封装的低成本玻璃通孔 (TGV) 制造工艺，该工艺可实现低插入损耗和优异的线性度性能。

摘要

本文介绍了一种用于3D集成电路的新型中介层，该中介层利用玻璃通孔 (TGV) 替代了更常见的硅通孔 (TSV)，这得益于一种新的制造工艺。由于玻璃的电气特性，TGV 在射频应用中具有卓越的性能。新工艺可制造具有倒置通孔结构和锥形侧壁轮廓的 TGV，从而实现无空隙的共形金属覆盖，与全填充 TGV 相比，这降低了成本和加工时间。仿真结果表明，相同直径的共形电镀 TGV 和全填充 TGV 具有相似的插入损耗，并研究了插入损耗与通孔直径和高度之间的关系。

对制造的 TGV 进行测量，结果显示其在 10 GHz 频率下的插入损耗为 0.014 dB，直流电阻为 28 mΩ。该性能达到或超过了其他已报道的 TGV 技术，并且优于所有已报道的 TSV 技术。此外，通过测量通过过孔的信号的二次和三次谐波电平来评估TGV的线性度。与没有TGV的直通线相比，二次谐波电平保持不变，而三次谐波电平则高出2 dB，消息人士认为这属于优异的性能。

来源：https://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:1261803/FULLTEXT01