Millimeter-Wave Substrate Integrated Waveguide Using Micromachined Tungsten-Coated Through Glass Silicon Via Structures

采用微加工钨镀膜玻璃硅通孔结构的毫米波基片集成波导

引文

Hyeon, I.-J.；Baek, C.-W. 采用微加工钨镀膜玻璃硅通孔结构的毫米波基片集成波导。Micromachines 2018, 9, 172.
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关键词

  • 基片集成波导 (SIW)
  • 玻璃硅通孔 (TGSV)
  • 玻璃中介层
  • 玻璃通孔 (TGV)
  • 毫米波
  • 微加工
  • 钨镀膜
  • 插入损耗

简介

本文介绍了一种在玻璃基片上制造毫米波基片集成波导 (SIW) 的新方法，该方法采用微加工钨镀膜玻璃硅通孔 (TGSV)，以提高性能和集成度。

摘要

本文介绍了一种利用微加工钨镀膜玻璃硅通孔 (TGSV) 结构制造毫米波基片集成波导 (SIW) 的新方法。

以下是本研究的一些关键方面：

  • 动机：作者旨在解决现有 SIW 制造技术的局限性，这些技术不易与半导体工艺集成，且成本高昂。玻璃中介层以其低损耗和高性价比，被认为是一种很有前景的替代方案。
  • 建议的解决方案：研究人员提出了一种结合硅通孔深反应离子刻蚀 (DRIE)、选择性钨镀膜和玻璃回流的技术，以在玻璃基片中嵌入 TGSV。这种方法无需单独的玻璃钻孔和金属化步骤。
  • 优点：钨镀膜 TGSV 已被证明是传统金属通孔的有效替代品，在不影响插入损耗的情况下提供同等性能。该制造工艺与半导体制造兼容，可与硅基电路和元件集成。
  • 实验验证：采用该方法制作的Ka波段SIW原型，在20 GHz至45 GHz频率范围内，平均插入损耗为0.69 ± 0.18 dB，回波损耗优于10 dB，与已报道的其他毫米波SIW相当。
  • 潜在应用：该技术在各种需要带导电通孔玻璃基板的毫米波器件中具有潜在应用，包括电感器、滤波器和天线。

来源：https://www.semanticscholar.org/reader/e18086d1a9eace2ab48e82885af8a8c839ad17f5

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