Uniformity of AZO conductive film on microchannel plate by atomic layer deposition and effect of annealing on bulk resistance

微通道板上原子层沉积AZO导电薄膜的均匀性及退火对体电阻的影响

引用

朱英，徐志军，何华，王光，夏建，王建军，杨建军，李勇 (2023)。原子层沉积法制备微通道板上AZO导电薄膜的均匀性及退火处理对体电阻的影响。《材料研究快报》，10(8)，086402。

关键词

  • 原子层沉积 (ALD)
  • 微通道板 (MCP)
  • AZO导电薄膜
  • 退火处理
  • 体电阻
  • 三甲基铝 (TMA)
  • 厚度均匀性
  • 成分均匀性

简介

本文研究了利用原子层沉积 (ALD) 在微通道板 (MCP) 的微通道内制备均匀的AZO (ZnO/Al2O3) 导电薄膜，并分析了退火处理对薄膜体电阻的影响。

摘要

发表于《材料研究快报》(Materials Research Express) 2023年的文章《原子层沉积微通道板上AZO导电薄膜的均匀性及退火对体电阻的影响》(Uniformity of AZO conductive film on microchannel board by atomic layer Deposition and effect of annealing on bulk resistance) 重点探讨了利用原子层沉积 (ALD) 技术增强微通道板 (MCP) 性能的方法。作者通过调整ALD工艺参数，特别是将三甲基铝 (TMA) 的脉冲时间延长至500 ms，实现了AZO (ZnO/Al₂O₃) 薄膜在MCP​​微通道内的均匀沉积。这解决了TMA腐蚀ZnO导致薄膜厚度和成分不一致的问题。

研究发现，在300 °C的氮气(N₂)环境中对MCP进行60分钟的退火处理，可显著提高其体电阻稳定性。这种改善归因于氮与薄膜相互作用导致的载流子浓度和迁移率的降低。研究强调，导电层结构为 ZnO/Al₂O₃ = 7/2 的 MCP 在这些条件下退火时，在一系列测试电压下表现出稳定的体电阻。这种稳定性对于 MCP 的运行效率至关重要。


来源：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/acedee/pdf

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