MCP:二次发射
二次发射是指高能粒子撞击表面或材料并诱发二次粒子(例如电子或离子)发射的现象。例如,当真空管中的电子或离子撞击金属表面时,它们会从金属中撞击出更多电子。这些电子被称为二次电子。每个入射粒子发射的二次电子数量称为二次发射率。
二次发射用于许多能够探测和放大单个粒子或光子的器件,例如光电倍增管、像增强管和粒子探测器。通过使用一种称为微通道板 (MCP) 的器件,该器件具有许多通过二次发射倍增电子的微通道,可以将输入信号放大数百万倍。
二次发射也可能是电子真空管中不良的副作用,当来自阴极的电子撞击阳极并引起寄生振荡时。为了防止这种情况,阳极采用了二次发射率较低的特殊材料或涂层。
二次发射用于许多能够探测和放大单个粒子或光子的器件,例如光电倍增管、像增强管和粒子探测器。通过使用一种称为微通道板 (MCP) 的器件,该器件具有许多通过二次发射倍增电子的微通道,可以将输入信号放大数百万倍。
二次发射也可能是电子真空管中不良的副作用,当来自阴极的电子撞击阳极并引起寄生振荡时。为了防止这种情况,阳极采用了二次发射率较低的特殊材料或涂层。