ガラス貫通ビアによる低損失・高直線性RFコンポーネントの実現
引用
Liljeholm, J., Shah, U., Campion, J., Ebefors, T., Oberhammer, J. (2016) Through-Glass-Via による低損失高線形 RF コンポーネントの実現。In: NB この研究を引用する場合は、元の出版された論文を引用してください。
ソースには、抜粋への永続的なリンクも提供されています: http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-199961
キーワード
- MEMS製造
- ウェーハレベルパッケージング(WLP)
- ガラス貫通ビア(TGV)
- RF TGV
- 低損失
- 高直線性
- ガラス基板
- 直流抵抗
- 非線形性
簡単な
この論文では、ウェーハレベルの 3D パッケージで使用するための低損失、高直線性の金属ガラス貫通ビア (TGV) の製造とテストの成功について説明します。
まとめ
この記事では、ウェーハレベル 3D パッケージング用のガラス貫通ビア (TGV) 技術を使用して、低損失で高線形性の RF コンポーネントを製造する新しい方法を紹介します。このプロセスは、重金属を含まないため電気絶縁性に優れていることから選ばれた Eagle ガラス基板で実行されました。製造プロセスでは、ガラス基板に TGV をエッチングし、続いて再配線層 (RDL) 用のコンフォーマル金層を堆積し、TGV メッキを施しました。次に、ガラス キャップ ウェーハを基板に接着し、薄化および露出プロセスを実行して前面から TGV にアクセスしました。
この研究の主な結果は次のとおりです。
- 製造の成功:この研究では、完全に機能する TGV ウェハレベル 3D パッケージの製造プロセスが成功していることが実証されました。
- 低抵抗: DC 測定では、RDL およびボンド インターフェイスを含む TGV あたりのビア抵抗が 28mOhm であることが示されました。
- 高い直線性: RF 特性評価により優れた直線性が明らかになり、1.1 mm 伝送ライン上の 2 セットの TGV が 78 dBm を超える非直線性 (IP3) を達成しました。これは、TGV が信号歪みに最小限の影響しか与えず、信号の整合性を維持していることを示しています。
出典: http://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:1067132/FULLTEXT01.pdf