マイクロチャネルプレート光電子増倍管のカウントレート性能

引用

この記事では、マイクロチャネルプレート光電子増倍管の速度依存ゲインの変化に焦点を当てています。
この研究は、契約番号 DE-AC07-761101570 に基づき米国エネルギー省の支援を受けて行われました。
記事の著者は、技術的な議論をしてくれた LO Johnson 氏と原稿作成をしてくれた Eunice Rahl 氏に感謝します。

キーワード

  • マイクロチャネルプレート光電子増倍管 (MCPP)
  • ゲイン変更
  • 計数率
  • パルス飽和モード
  • シンチレーション検出器
  • NaI(T1)シンチレーター
  • 回復時間を増やす
  • ダイノード間ゲイン
  • 量子効率
  • 電子開放面積比

簡単な

ソースで提供される情報には、記事の要約は含まれていません。ただし、ソースでは、記事がマイクロチャネル プレート光電子増倍管の速度依存ゲイン変化の測定に焦点を当てていることを示しています。

まとめ

この記事では、マイクロチャネルプレート光電子増倍管 (MCPP) のゲインが計数率に応じてどのように変化するかを調べます。著者らは、MCPP のゲインが高計数率で最大 60% 変化する可能性があることを発見しました。著者らは、シンチレータとして NaI(T1) を使用したシンチレーション検出器システムで MCPP を使用しているときにこの現象を観察しました。これらのゲイン変化の原因は、MCPP の製造に使用されている材料の高抵抗であると考えられます。

研究の実施方法:

  • 研究者らは実験で22Naと137Csの両方の放射線源を使用した。
  • 彼らは放射線源と検出器の間の距離を調整することで相互作用率を制御しました。
  • シンチレータ内での X 線相互作用を防ぐために、線源と検出器の間に 0.63 cm 厚のルーサイト吸収体を配置しました。
  • 研究チームはシンチレーターとしてNaI(T1)結晶を使用しました。
  • 使用した MCPP は、単一アノード、バイアルカリカソード、および 1.3 x 10^7 チャネルの Z プレート構成を備えた1TT モデル F4129でした。

経験モデル:
著者らは、チャネル使用率の関数としてゲインの変化を計算するための経験的モデルを開発しました。このモデルは、MCPP メーカーから提供された情報を利用します。このモデルは、500 s^-1 未満のチャネル使用率 (R) でのゲインの変化を効果的に予測します。

出典: https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc1068184/m2/1/high_res_d/5309667.pdf

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