Uniformity of AZO conductive film on microchannel plate by atomic layer deposition and effect of annealing on bulk resistance

原子層堆積法によるマイクロチャネルプレート上のAZO導電性フィルムの均一性とバルク抵抗に対するアニールの影響

引用

Zhu, Y., Xu, Z., He, H., Wang, G., Xia, J., Wang, J., Yang, J., & Li, Y. (2023). 原子層堆積法によるマイクロチャネルプレート上のAZO導電性フィルムの均一性とアニーリングによるバルク抵抗への影響。Materials Research Express 、 10 (8)、086402。

キーワード

  • 原子層堆積法（ALD）
  • マイクロチャネルプレート (MCP)
  • AZO導電性フィルム
  • アニーリング
  • バルク抵抗
  • トリメチルアルミニウム (TMA)
  • 厚さの均一性
  • 組成の均一性

簡単な

この記事では、原子層堆積法 (ALD) を使用してマイクロチャネル プレート (MCP) のマイクロチャネル内に均一な AZO (ZnO/Al2O3) 導電性フィルムを作成する方法を調査し、アニーリングがフィルムのバルク抵抗に与える影響を分析します。

まとめ

Materials Research Expressに掲載された2023年の記事「原子層堆積法によるマイクロチャネルプレート上のAZO導電性フィルムの均一性とアニーリングによるバルク抵抗への影響」は、原子層堆積法（ALD）を使用したマイクロチャネルプレート（MCP）の特性向上に焦点を当てています。著者らは、ALDプロセスパラメータを調整し、特にトリメチルアルミニウム（TMA）のパルス時間を500ミリ秒に延長することで、MCPマイクロチャネル内でのAZO（ZnO/Al₂O₃）フィルムの均一な堆積を実現しました。これにより、TMAがZnOを腐食し、フィルムの厚さと組成に不一致が生じるという問題に対処しました。

研究では、MCP を窒素 (N₂) 環境で 300 °C で 60 分間アニールすると、バルク抵抗の安定性が大幅に向上することがわかりました。この改善は、窒素とフィルムの相互作用により、キャリア濃度と移動度の両方が減少したためです。この研究では、ZnO/Al₂O₃ = 7/2 の導電層構造を持つ MCP をこれらの条件下でアニールすると、さまざまなテスト電圧にわたって安定したバルク抵抗が示されたことが強調されました。この安定性は、MCP の動作効率にとって非常に重要です。

出典: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/acedee/pdf
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