シリコンフォトニクスにおける磁気光学非相反デバイス

引用

庄司雄也、水本哲也、「シリコンフォトニクスにおける磁気光学非相反デバイス」、科学技術研究科、 15、014602 ( 2014)、doi:10.1088/1468-6996/15/1/014602

キーワード

• 磁気光学非相反素子
• シリコンフォトニクス
• シリコン導波路
• 磁気光学効果
• 非相反位相シフト
• 光アイソレータ
• 光サーキュレータ
• 磁気光学ガーネット
• 直接接合
• シリコンオンインシュレータ（SOI）
• マッハツェンダー干渉計 (MZI)
• 3 dB方向性結合器
• 波長1550 nm （および1548 nm 、1531 nmなどの他の波長）
• 分離
• 挿入損失
• 偏波独立型アイソレータ
• リング共振器
• ファラデー回転
• エピタキシャル成長
• プラズマ照射
• 接着強度
• 静磁場

簡単な

この記事では、磁気光学ガーネット材料を統合することで実現される磁気光学位相シフトを利用して一方向の光伝播を可能にすることでシリコン光導波路に統合されたアイソレータやサーキュレータなどの磁気光学非相反デバイスの開発についてレビューします。

まとめ

この記事では、シリコン光導波路に統合されたアイソレータやサーキュレータなどの磁気光学非相反デバイスの進歩についてレビューします。これらのデバイスは、磁気光学効果による非相反位相シフトを使用して実現され、通常は磁気光学ガーネット結晶をシリコン導波路に直接接合します。1548 nmで30 dBのアイソレーションを備えたシリコン導波路光アイソレータと、 1531 nmで最大15.3 dBと9.3 dBのアイソレーションを備えた4ポート光サーキュレータが実証されています。この統合は、光デバイスを保護し、シリコンで高機能な光回路を作成するために不可欠です。このレビューでは、ガーネット材料を統合するために使用される表面活性化直接接合技術についても説明します。

出典: https://sci.bban.top/pdf/10.1088/1468-6996%252F15%252F1%252F014602.pdf#