ビスマステルル化物可飽和吸収体を用いたモード同期光ファイバデバイスの研究
引用
王雍杰（ワン・ヨンジエ）。 （2023年3月）。 碲化鉄可飽和吸収体に基づくモードロック光ファイバーデバイス研究 (テルル化ビスマス可飽和吸収体に基づくモードロック光ファイバーデバイスに関する研究) [硕士学位論文 (修士論文), 学科专业: 光工程 (分野: 光工学), 指导教]师: 张贺副研究员 (指導者: He Zhang 准教授)]。 长春理工大学（長春科学技術大学）。
キーワード
- 锁模光レーザーレーザー / モードロックファイバーレーザー
- 可飽和吸収体 / 可飽和吸収体、SA
- 碲化铋 / テルル化ビスマス、Bi2Te3
- 二次元材料 / 二次元材料
- 拓扑绝缘体 / トポロジカル絶縁体、TI
- 超快光纤レーザー光器 / 超高速ファイバーレーザー
- 繰り返し周波数 / 繰り返し率
- ガラスフィルム・ガラスフィルム
- Sb 掺杂 Bi2Te3 / Sb ドープ Bi2Te3
- 溶胶凝固法 / ゾルゲル技術
- TI/SiO2 薄膜 / TI/SiO2 フィルム
- 损伤阈值 / ダメージ閾値
- 调制深度 / 変調深度
- 饱和強度 / 可飽和強度
- 非飽和損失 / 不飽和損失
- 掺铒光纤レーザー / エルビウムドープファイバーレーザー
簡単な
この修士論文では、テルル化ビスマス飽和吸収体 (SA) に基づくモード同期光ファイバーデバイスの設計、製造、および応用を調査し、高繰り返し率 (GHz) のパルスレーザー出力を達成するために、非線形光学特性と損傷閾値を強化することを目的としています。
まとめ
この修士論文は、テルル化ビスマス（Bi2Te3）可飽和吸収体（SA）をベースとしたモード同期光ファイバーデバイスを研究し、高繰り返し周波数（GHz）の超高速レーザーにおける性能向上を目指しています。本研究は、以下の点に焦点を当てています。
- 非線形光学（NLO）特性とキャリア移動度を向上させるため、 Sb2Te3-Bi2Te3の横方向ヘテロ構造（LHS）を開発しました。このLHS SAは、Erドープファイバーレーザーに用いられ、 GHz繰り返し周波数のモード同期パルスを実現しました。
- ゾルゲル技術を用いて作製されたSbドープBi2Te3を含むガラス膜（TI/SiO2）を用いた新しいSAを設計し、従来のポリマー膜と比較して大幅に高い損傷閾値を実現しました。このSAにより、Erドープファイバーレーザーは119次までの高調波モード同期を実現し、2.84GHzの繰り返し周波数を実現しました。
この論文は、これらの進歩が高繰り返し率の超高速ファイバーレーザーアプリケーションにもたらす可能性を強調して結論づけています。
起源：