サブモデリングシミュレーションアプローチによるガラス経由インターポーザアーキテクチャを介した熱圧縮エポキシ成形コンパウンドの信頼性評価
引用
Wang, S.-H.; Hsu, W.; Liou, Y.-Y.; Huang, P.-C.; Lee, C.-C. サブモデリング シミュレーション アプローチによるガラス経由のインターポーザ アーキテクチャを介した熱圧縮エポキシ成形コンパウンドの信頼性評価。 材料 2022年、 15、7357 。 https://doi.org/10.3390/ma15207357
キーワード
- TGV
- 熱圧縮
- 有限要素解析
- サブモデリング技術
- ガラスインターポーザー
- 化学収縮
- CTE 不一致
- ストレス評価
- シチ
簡単な
この資料では、熱圧縮プロセスがガラスインターポーザーのアーキテクチャにどのように影響するかについて説明します。
まとめ
この記事では、電子パッケージングの重要なプロセスである熱圧縮下におけるガラス貫通ビア (TGV) インターポーザ アーキテクチャの機械的信頼性を調査します。2022 年に Materials 誌に掲載されたこの研究は、このプロセス中にガラス インターポーザと Si チップに発生する応力に焦点を当てています。
この記事の主な調査結果は次のとおりです。
- サブモデリング手法: 研究者らは、サブモデリング技術を使用して熱圧縮プロセスをシミュレートし、サイズが大きく異なる複雑な構造をモデリングするという課題に取り組みました。このアプローチでは、インターポーザー全体のグローバル モデルと、重要な TGV 領域のローカルで詳細なモデルを作成します。グローバル モデルの変位フィールドをローカル モデルに適用して、正確な応力解析を行います。
- CTE 不一致の影響: この調査では、Si チップ、Cu トレース、ガラス インターポーザなどのインターポーザ構造内の異なる材料間の熱膨張係数 (CTE) の不一致が重要な役割を果たしていることが強調されています。この不一致は、特に 130 °C の硬化プロセス中に、ガラス インターポーザにかかる最大 121 MPa の応力の主な原因であることが判明しました。
- EMC収縮の影響: プロセスで使用されるエポキシ成形化合物 (EMC) の化学収縮はガラスインターポーザのストレスに大きな影響を与えませんでしたが、Si チップに直接影響を与えました。Si チップのストレスは EMC 収縮の度合いに比例することがわかりました。
- 重大なストレス箇所: 分析により、チップの外側の角と Si チップの内側の角が重要な応力箇所であることが判明しました。この調査では、ガラス インターポーザにかかる応力は主に CTE の不一致によって決まり、Si チップにかかる応力は EMC 収縮の影響を受けることが示唆されています。
この研究の結果は、電子パッケージングにおける TGV インターポーザ技術の信頼性を高めるための貴重な洞察を提供します。
出典: https://www.semanticscholar.org/reader/85915352f762d0ead3af6c34eead8ba63e0b65f2