深紫外 (Deep UV) 和 EUV 有何区别？

深紫外 (DUV) 和极紫外 (EUV) 光刻技术的区别

深紫外 (DUV) 和极紫外 (EUV) 光刻技术是半导体行业微加工的两项关键技术，用于生产特征尺寸不断减小的集成电路和微芯片。尽管它们在光刻领域应用广泛，但由于其波长特性和技术基础设施要求不同，它们的特性和应用也各有不同。

波长

深紫外 (DUV) 光刻技术使用波长范围为 190 至 365 纳米的光。相比之下，极紫外 (EUV) 光刻技术使用的波长要短得多，通常约为 13.5 纳米。这种波长上的巨大差异是区分深紫外 (DUV) 和极紫外 (EUV) 光刻技术的功能和应用的基础。

分辨率

由于波长较短，EUV 技术能够实现比深紫外 (DUV) 更高的分辨率图案化。这对于半导体器件的持续小型化至关重要，能够实现尺寸小于 10 纳米的电路。

复杂性和成本

EUV 系统比 DUV 系统复杂得多，成本也更高。EUV 光刻设备的生产和维护，包括由于 EUV 光会被空气和大多数材料吸收而需要真空环境，使其成为一项投资更高的技术。

应用

虽然 DUV 广泛应用于半导体制造工艺的各个领域，并且多年来一直是行业标准，但 EUV 光刻技术是专门为突破半导体器件尺寸极限而开发的，以满足高端、超小型制造的需求。

发展与应用

DUV 光刻技术已经存在并投入使用多年，是一项成熟的技术。而 EUV 光刻技术相对较新，已经发展了 30 多年。然而，随着对小型半导体器件的需求不断增长，EUV 光刻技术的应用也越来越广泛。

基板和掩模版的区别

EUV 光刻技术使用的基板和掩模版与 DUV 光刻技术有很大不同。 EUV 采用反射式掩模版，而非 DUV 中使用的传统透明掩模版，这是因为传统材料对 EUV 光的吸收率较高。此外，必须设计基板以最大限度地减少 EUV 波长的吸收，并最大限度地提高反射率。