실리콘 광자공학의 자기광학 비상호 소자

소환

쇼지 유야(Yuya Shoji)와 미즈모토 테츠야(Tetsuya Mizumoto) , " 실리콘 포토닉스에서의 자기광학 비상호소자 ", Sci. Technol. Adv. Mater. , 15 , 014602 (2014), doi:10.1088/1468-6996/15/1/014602

키워드

• 자기광학 비상호소자
• 실리콘 포토닉스
• 실리콘 도파관
• 자기광학 효과
• 비상호적 위상 변화
• 광 아이솔레이터
• 광순환기
• 자기광학 가넷
• 직접 결합
• 실리콘 온 인슐레이터(SOI)
• 마하젠더 간섭계(MZI)
• 3dB 방향성 결합기
• 1550nm 파장 (및 1548nm , 1531nm와 같은 다른 파장 )
• 격리
• 삽입 손실
• 편광 독립형 아이솔레이터
• 링 공진기
• 패러데이 회전
• 에피택셜 성장
• 플라즈마 조사
• 접합 강도
• 정자기장

짧은

이 논문에서는 자기광학 비가역 소자( 예: 절연체 및 순환기) 를 실리콘 광자 도파관 에 통합한 개발에 대해 검토합니다. 이는 자기 광학 가넷 소재를 직접 결합하는 방식을 통해 자기광학 위상 편이를 달성하여 단방향으로 빛이 전파되도록 하는 것입니다.

요약

본 논문에서는 실리콘 광자 도파로 에 집적된 아이솔레이터 및 서큘레이터 와 같은 자기광학적 비상호 소자 의 발전 과정을 검토한다 . 이러한 소자는 자기광학적 효과 에 의한 비상호 위상 편이를 이용하여 구현되는데 , 일반적으로 자기광학적 가넷 결정을 실리콘 도파로에 직접 접합하는 방식을 사용한다. 1548nm에서 30dB의 절연성을 갖는 실리콘 도파로 광 아이솔레이터 와 1531nm에서 각각 15.3dB 및 9.3dB의 최대 절연성을 갖는 4포트 광 서큘레이터가 시연되었다 . 이러한 집적은 실리콘에서 광학 소자를 보호하고 고기능성 광자 회로를 구축하는 데 필수적이다 . 또한, 본 논문에서는 가넷 소재 집적에 사용된 표면 활성화 직접 접합 기술에 대해서도 논의한다.

출처: https://sci.bban.top/pdf/10.1088/1468-6996%252F15%252F1%252F014602.pdf#