고성능 유리 기판을 위한 TGV(Thru-Glass-Via)에 직접 구리 금속화
소환
Onitake, S., Inoue, K. 및 Takayama, M. (2017). 고성능 유리 기판을 위한 TGV(Thru-Glass-Via)에 직접 구리 금속화. 2017 국제전자공학심포지엄 , 1-4. 국제 마이크로전자공학 조립 및 포장 협회(IMAPS). https://doi.org/10.4071/isom-2017-wp52_085
키워드
- 유리 기판
- TGV(유리 통과형)
- 구리 금속화
- 접착력
- 습식도금공정
- 고주파 애플리케이션
- IoT(사물 인터넷)
짧은
이 기사에서는 유리 관통 비아(TGV)가 있는 유리 기판에 직접 구리 금속화를 위한 새로운 습식 도금 공정을 제시하여 접착층이 필요 없으며 고성능 전자 장치를 비용 효율적으로 제조할 수 있습니다.
요약
Shigeo Onitake, Kotoku Inoue 및 Masatoshi Takayama가 저술한 2017 마이크로전자공학 국제 심포지엄의 이 기사는 고주파 전자 장치에 사용하기 위해 유리 기판에 직접 구리 도금을 위한 새로운 방법을 제안합니다.
유리는 낮은 전도성과 유전 손실 등 우수한 특성을 갖고 있어 신호 주파수 20GHz를 초과하는 차세대 통신 장치에 이상적이라는 것이 주요 주장 이다.
기사의 주요 내용은 다음과 같습니다.
- 플라스틱 및 세라믹과 같은 기존 재료는 성능 한계에 도달하고 있는 반면, 실리콘 인터포저는 효과적이지만 비용이 많이 들고 확장성에 한계가 있습니다.
- 유리는 실리콘에 비해 다음과 같은 많은 이점을 제공합니다.
- 비용 효율성: 유리는 실리콘보다 훨씬 저렴하므로 대규모 생산에 더 적합한 옵션입니다.
- 우수한 특성: 유리는 높은 절연성, 낮은 유전 손실, 더 나은 열 및 화학적 저항성, 높은 투명성, 우수한 표면 평활도 및 실리콘과 유사한 열팽창 계수를 자랑합니다.
- 확장성: 유리 기판은 실리콘 웨이퍼와 달리 더 넓은 영역으로 쉽게 확장할 수 있어 생산성과 처리량이 향상됩니다.
- 유리에 직접 구리 도금을 하는 것은 접착 문제로 인해 어렵습니다. 시드층이나 졸-겔 기술을 사용하는 기존 방법은 복잡하고 비용이 많이 들며 대량 생산이 불가능한 경우가 많습니다.
- 저자는 니켈, 크롬 또는 티타늄과 같은 중간층이 필요 없는 새로운 습식 도금 공정을 제시합니다.
- 이 방법은 성공적인 것으로 입증 되었으며 0.42kN/m의 구리-유리 직접 접착 강도를 달성했습니다.
- 이 공정은 대형 유리 기판과 관통 구멍 내에서 균일한 구리 필름 형성을 보장합니다.
- 중요한 것은 도금 후에도 유리의 표면 평활성이 유지되어 고품질 회로 제작을 보장한다는 것입니다.
- 이 기사에서는 이 방법을 사용하여 75μm 라인/공간 크기로 회로를 성공적으로 형성했다는 증거를 제공합니다.
저자는 이 새로운 습식 도금 기술이 3D 유리 기판이 필요한 차세대 전자 장치 제조에 상당한 가능성을 갖고 있다고 결론지었습니다.