TNBT 및 NTBC 첨가제를 사용하는 인터포저 응용 분야용 유리 비아(TGV)를 통한 높은 종횡비의 초등각 충진

소환

Ogutu, P., Fey, E., & Dimitrov, N. (2015). TNBT 및 NTBC 첨가제를 사용하는 인터포저 응용 분야용 유리 비아(TGV)를 통한 높은 종횡비의 초등각 충진. 전기화학학회지 , 162 (9), D457–D464. https://doi.org/10.1149/2.0641509jes

키워드

  • 유리 관통형 비아(TGV)
  • 초등각 충전재
  • 테트라니트로블루 테트라졸륨 Cl−(TNBT) 및 니트로블루 테트라졸륨 Cl−(NTBC)
  • 나비 메커니즘
  • 공극 형성
  • 전류밀도
  • 산성 CuSO4/Cl− 제제
  • 인터포저 애플리케이션

짧은

이 기사에서는 유리 인터포저 응용 분야에 테트라니트로블루 테트라졸륨 Cl-(TNBT) 및 니트로블루 테트라졸륨 Cl-(NTBC) 첨가제를 사용하여 구리로 유리 통과 비아(TGV)의 초등각 충전을 달성하는 방법을 제시합니다.

요약

2015년 Journal of The Electrochemical Society에 게재된 기사에서는 전기도금을 사용하여 구리(Cu)로 유리 비아(TGV)를 채우는 방법을 자세히 설명합니다. 이 공정은 전자 패키징에서 다양한 부품을 연결하는 데 사용되는 유리 인터포저를 만드는 데 중요합니다.

기사의 주요 내용은 다음과 같습니다.

  • 비아 내부의 증착 속도가 표면보다 높은 초등각 충전은 TNBT와 NTBC라는 두 가지 첨가제를 사용하여 달성되었습니다.
  • 이러한 충전 메커니즘은 충전 초기 단계의 구리 증착물의 모양으로 인해 "나비" 효과라고 합니다.
  • 아세트산(CH3COOH)을 함유한 TNBT를 사용하면 종횡비가 6:1인 TGV를 3시간 만에, 종횡비가 10:1인 TGV를 12.5시간 만에 완전히 채울 수 있었습니다.
  • 황산(H2SO4)을 함유한 NTBC는 종횡비가 6:1인 TGV를 4~5시간 안에 채우고 종횡비가 10:1인 TGV를 12~13시간 만에 채우는 등 비슷한 결과를 얻었습니다.
  • 염화물 이온 (Cl-)의 존재와 산의 선택 은 도금 공정을 제어하는 ​​데 중요합니다.
  • 저자들은 도금 공정 중 첨가제 감소 의 역할을 조사했지만 이를 주요 작용 메커니즘으로 뒷받침하는 결정적인 증거를 찾지 못했습니다.

이 기사에서는 TNBT와 NTBC가 모두 고종횡비 TGV를 효과적으로 채울 수 있어 유리 인터포저 생산에 사용할 수 있는 길을 열었다고 결론지었습니다. 이 연구는 최적의 결과를 얻기 위해 첨가제 농도, 전류 밀도, 산 유형 등 도금 매개변수를 신중하게 제어하는 ​​것이 중요하다는 점을 강조합니다.

출처: https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2.0641509jes/meta

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