Through-Glass-Via Enabling Low Loss High-Linearity RF Components

유리 통과를 통한 저손실 고선형성 RF 부품 구현

소환

Liljeholm, J., Shah, U., Campion, J., Ebefors, T., Oberhammer, J. (2016) 유리 통과를 통한 저손실 고선형성 RF 부품 구현. In: NB 이 저작물을 인용할 때는 원래 출판된 논문을 인용하세요.
소스는 또한 주어진 발췌문에 대한 영구 링크를 제공합니다: http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-199961

키워드

  • MEMS 제조
  • 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)
  • 유리 비아(TGV)를 통해
  • RF TGV
  • 저손실
  • 고선형성
  • 유리 기판
  • DC 저항
  • 비선형성

짧은

이 문서에서는 웨이퍼 레벨 3D 패키지에 사용하기 위한 저손실, 고선형 금속 TGV(Through-Glass-Via)의 성공적인 제조 및 테스트에 대해 설명합니다.

요약

이 기사에서는 웨이퍼 레벨 3D 패키징을 위한 TGV(Through-Glass-Via) 기술을 사용하여 저손실, 고선형 RF 부품을 제조하는 새로운 방법을 제시합니다. 이 공정은 중금속이 없어 전기 절연성이 뛰어난 Eagle 유리 기판에서 수행되었습니다. 제조 공정에는 유리 기판에 TGV를 에칭한 후 재분배층(RDL)을 위한 컨포멀 금층을 증착하고 TGV 도금하는 작업이 포함되었습니다. 그런 다음 유리 캡 웨이퍼를 기판에 접착하고 전면에서 TGV에 접근하기 위해 박형화 및 노출 공정을 수행했습니다.

연구의 주요 결과는 다음과 같습니다.

  • 성공적인 제조: 이 연구는 완전한 기능을 갖춘 TGV 웨이퍼 레벨 3D 패키지의 성공적인 제조 프로세스를 보여주었습니다.
  • 낮은 저항: DC 측정 결과 RDL 및 본드 인터페이스를 포함하여 TGV당 28mOhm의 비아 저항이 나타났습니다.
  • 높은 선형성: RF 특성화는 78dBm보다 더 나은 비선형성(IP3)을 달성하는 1.1mm 전송 라인의 두 세트의 TGV를 통해 탁월한 선형성을 나타냈습니다. 이는 TGV가 신호 왜곡에 최소한의 영향을 미치고 신호 무결성을 유지함을 나타냅니다.

출처: http://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:1067132/FULLTEXT01.pdf

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