ガラスコア基板

電子デバイスのパッケージングプロセス中の熱応力の発生を最小限に抑える新しいガラス基板

引用 * 野村 誠・澤村 聡・花輪 勇・酒井 勇・林 功 (2016). 電子デバイスパッケージングプロセス中の熱応力発生を最小限に抑える新しいガラス基板. 、2016年、607-617。 CTE制御 ガラスキャリア/基板 熱応力の発生 反り Si マッチング CTE ファンアウト ウェーハレベル パッケージング (FOWLP) 簡単な 研究者らは、電子デバイスのパッケージングプロセス中の熱応力の発生を最小限に抑えるために、熱膨張係数（CTE）がシリコンのそれと完全に一致する新しいガラス基板を開発しました。 情報源では、CTE が 3.3 - 12.0 ppm/°C の範囲内で ppm...

3次元マイクロおよびナノデバイスの開発のためのナノ結晶ダイヤモンドガラスプラットフォーム

引用 Janssens, SD, Vázquez-Cortés, D., Giussani, A., Kwiecinski, JA, & Fried, E. (2019). 3次元マイクロおよびナノデバイスの開発のためのナノ結晶ダイヤモンドガラスプラットフォーム。Diamond & Related Materials 、 98、107511。https ://doi.org/10.1016/j.diamond.2019.107511 キーワード ナノ結晶ダイヤモンド（NCD） ガラス貫通ビア（TGV） 微細加工 ガラスエッチング レーザーアブレーション 3Dマイクロデバイスおよびナノデバイス 単一細胞培養と分析 微小電極 量子技術...

異種統合アプリケーション向け 3D システム パッケージのガラス パネル埋め込みの設計とデモン...

引用 Ravichandran, S., Yamada, S., Ogawa, T., Shi, T., Liu, F., Smet, V., Sundaram, V., & Tummala, R. (2019). 異種統合アプリケーション向け 3D システム パッケージ用ガラス パネル埋め込みの設計とデモンストレーション。Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 、...

RF MEMS用ガラスパッケージ

引用 Parmar, R.、Zhang, J. (2018)。RF MEMS 用ガラスパッケージング。 国際マイクロエレクトロニクスシンポジウム。 キーワード ガラス包装 無線MEMS 5Gモバイルネットワーク ガラス貫通ビア（TGV） 低損失 高抵抗 低誘電率 RFスイッチ 統合受動デバイス (IPD) 簡単な この記事では、特に 5G モバイル ネットワークのアプリケーションにおいて、RF MEMS パッケージの材料としてガラスを使用する利点について説明します。ガラスは、低損失、高抵抗、低誘電率などの望ましい特性を備えているため、高周波アプリケーションに適しています。この記事では、シリコンや他の材料と比較して挿入損失が低いガラスベースの RF MEMS スイッチの利点に焦点を当てています。また、コンパクトで高性能な RF...

先進的なガラス貫通ビアインターコネクトの製造と特性評価

引用 著者: Timothy Clingenpeel、Arian Rahimi、Seahee Hwangbo、Yong-Kyu Yuon、Aric Shoreyタイトル:先進的なガラス貫通ビアインターコネクトの製造と特性評価会議:マイクロエレクトロニクスに関する国際シンポジウム (ISOM) の議事録年: 2016ページ番号: 288-295発行者:国際マイクロエレクトロニクス組立・パッケージング協会 (IMAPS) キーワード ガラス貫通ビア（TGV） 無線周波数（RF）アプリケーション 銅導体 超格子メタ伝導体/Cu/NiFe超格子 コーニングSGW3 3Dインターポーザ/3Dインターコネクト 回路モデル 簡単な この記事では、5G 通信などのアプリケーションでの無線周波数損失を低減するために Cu/NiFe 超格子メタ導体を使用した新しい設計を含む、ガラス貫通ビア (TGV) 構造の製造プロセスと電気的特性について説明します。 まとめ この記事では、5G...

ガラス貫通ビア（TGV）用途におけるバイアス温度ストレス条件下でのガラスへのCu拡散

引用 Kim, H., Cai, L., Fahey, A., Vaddi, R., Zhu, B., & Mazumder, P. (2018). ガラス貫通ビア (TGV) 用途におけるバイアス温度ストレス条件下でのガラスへの Cu 拡散。Integrated Microsystems 。 キーワード 銅の拡散 ガラス貫通ビア（TGV） バイアス温度ストレス (BTS) SG 3.4ガラス 拡散障壁...