유리 관통형 비아를 통해 구현되는 저손실, 고선형성 RF 인터포저

소환

Shah, U., Liljeholm, J., Campion, J., Ebefors, T. 및 Oberhammer, J. (2018). 유리 통과 비아로 구현되는 저손실 고선형성 RF 인터포저. IEEE 마이크로파 및 무선 구성 요소 편지 , 28 (11), 960–962. https://doi.org/10.1109/LMWC.2018.2869285

키워드

• 유리를 통한 비아(TGV)
• 미세 가공
• 이기종 통합
• 아야 손실
• 높은 선형성

짧은

이 편지에서는 낮은 삽입 손실과 뛰어난 선형성 성능을 달성하는 3차원 웨이퍼 레벨 패키징용 유리 통과 비아(TGV)를 제조하는 새로운 저비용 프로세스를 보고합니다.

요약

이 기사에서는 새로운 제조 공정을 통해 보다 일반적인 TSV(실리콘 관통 비아) 대신 TGV(유리 관통 비아)를 활용하는 3D 집적 회로에 사용할 수 있는 새로운 유형의 인터포저를 제시합니다. TGV는 유리의 전기적 특성으로 인해 RF 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공합니다. 새로운 프로세스는 역전된 비아 구성과 테이퍼진 측벽 프로파일을 갖춘 TGV를 생성하여 보이드 없는 컨포멀 금속 커버리지를 가능하게 하여 완전히 채워진 TGV에 비해 비용과 처리 시간을 줄입니다. 시뮬레이션에서는 동일한 직경의 컨포멀 도금 및 완전 충전 TGV가 유사한 삽입 손실을 갖는 것으로 나타났으며, 삽입 손실과 비아 직경 및 높이 간의 관계를 조사했습니다.

제작된 TGV를 측정한 결과 10GHz에서 28mΩ의 DC 저항으로 삽입 손실이 0.014dB인 것으로 나타났습니다. 이 성능은 보고된 다른 TGV 기술과 일치하거나 이를 초과하며 보고된 모든 TSV 기술보다 뛰어납니다. 또한, 비아를 통과하는 신호의 2차 및 3차 고조파 레벨을 측정하여 TGV의 선형성을 평가했습니다. 2차 고조파 레벨은 TGV가 없는 스루 라인에 비해 변하지 않은 반면, 3차 고조파 레벨은 2dB 더 높아 소스에서는 이를 우수한 성능으로 간주합니다.

출처: https://kth.diva-portal.org/smash/get/diva2:1261803/FULLTEXT01